●エピタキシー

デジタル大辞泉

エピタキシー（epitaxy）

ある結晶表面に、構造のよく似た他の結晶が成長する現象。ダイオードやトランジスターなどの製造工程に応用。

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岩石学辞典

エピタキシー

一つの結晶が，他の結晶の表面上にある定まった方位関係をとって成長する状態．結晶構造と格子面間隔の似た結晶の間に起こりやすく，通常下地の結晶面と構造的によく符号する結晶面の層が育てられていく［長倉ほか : 1998］．ギリシャ語のepiは上，taxisは規則的な配列の意味．

出典：朝倉書店
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ギリシア語に由来する結晶学用語で，〈規則的に重なる〉の意。訳語として配向重複成長をあてる。ある結晶の上に他の結晶が成長する場合に，二つの結晶の結晶軸がほぼ合致して成長していることをいい，このような結晶成長をエピタキシャル結晶成長と呼ぶ。エピタキシャル結晶成長をするためには，二つの結晶の接合する面において，2結晶の相互に一致する方向の許容併進周期差が最大で15％程度である必要がある。接合する面の対称性が一致する分子結晶では，併進周期差が20％を超える場合がある。

出典：株式会社平凡社
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精選版日本国語大辞典

エピタキシー

〘名〙 (epitaxy) ある結晶表面に、構造のよく似た他の結晶が成長する現象。ダイオードやトランジスタなどの製造工程に応用される。

出典：精選版日本国語大辞典
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化学辞典第2版

エピタキシー
エピタキシー
epitaxy

一つの結晶の上にほかの結晶がなんらかの一定の方位関係をもって成長する現象．epi-( ＝ on)と，-taxy( ＝ orderly arrangement)の合成語．双方の結晶の表面構造と状態がよく似ている場合に起こりやすい．天然の鉱物では古くから知られているが，最近，単結晶の育成の際，とくに蒸着法により基板結晶上に薄膜を作成する際によく問題とされる．エピタキシーの観測手段としては，光学顕微鏡(結晶の外形から方位関係を調べる)，X線電子線回折(結晶格子の方位関係)，電子顕微鏡(薄膜の組成や格子欠陥の検出，モアレ像による方位関係の観察)などがある．

出典：森北出版「化学辞典（第2版）」
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