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電界効果トランジスタ【でんかいこうかとらんじすた】

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

電界効果トランジスタ
でんかいこうかトランジスタ
field effect transistor
略して FETとも呼ぶ固体素子多数キャリアによる電流を制御電極の電圧で制御することにより増幅作用を示す。制御電極をゲート,キャリアの入口と出口をそれぞれソースおよびドレインと呼び,ソースとドレインの間の電流が流れる部分をチャネルと呼ぶ。ゲートがp-n接合あるいはショットキー接合の場合 (接合型 FET) と酸化膜を介した金属膜の場合 (MOSFET) とがある。またチャネルが素子の表面に平行な場合 (横型 FET) と垂直な場合 (縦型 FETあるいは静電誘導トランジスタ) があり,前者は従来のトランジスタに似て五極管のような飽和特性を示すが,後者三極管のような非飽和特性を示す。 FETは多数キャリアによって動作すること,電圧制御素子であることなどの点で従来のトランジスタと原理的にまったく異なっている。温度上昇に対して安定で,入力インピーダンスが非常に大きい。 MOSFETは構造が簡単であることから大規模集積回路 LSIなどに多く用いられている。材料はシリコンが主であるが,超高周波用としてヒ化ガリウムも使用されている。

出典:ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典
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