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FeRAM【えふいーらむ】

日本大百科全書(ニッポニカ)

FeRAM
えふいーらむ

コンピュータのメモリーに用いられるRAM(ラム)の一種。強誘電型読み書きメモリーferroelectric random access memoryの略語。FRAM(エフラム)ともいうが、これはアメリカのラムトロンRamtron社の登録商標であり、富士通は同社とのライセンスによりこの名称を用いている。

 強誘電体は電界の方向により分極が生じ、電界を取り除いてもその状態を保持するための電力は不要である。この性質を利用して、強誘電体薄膜半導体基板に集積して、書き込まれたデータが電源を切らない限り保持されるSRAM(エスラム)(スタティックRAM)または一定時間ごとに書き直しが必要なDRAM(ディーラム)(ダイナミックRAM)に似た回路構成で用いると、SRAMに匹敵する高速読出し・書込み性能、電気的に情報の消去が可能なEEPROM(イーイーピーロム)(electrically erasable and programmable ROM)と同様な不揮発性能、DRAMに相当する回数の読出し・書込みが可能で、低電圧・低消費電力で動作する。膜厚むらを防止する平坦(へいたん)化技術の進展、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)などの強誘電体材料の使用、イオンミリング(イオンビームによる加工)によるエッチング技術の進展などにより、読み書きの高速処理化と大容量化の開発が進められている。

[岩田倫典]

出典:小学館 日本大百科全書(ニッポニカ)
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化学辞典 第2版

FeRAM
エフイーアールエーエム

ferroelectric random access memoryの略称.[同義異語]FeRAM(エフイーラム)

出典:森北出版「化学辞典(第2版)」
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